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“量产爆发元年”将至,TOPCon池成光伏投资新热点

政策方面,今年4月,国家源局已发布《“十四五”源领域科技创新规划》,要求推动钙钛矿池制备与产业化生产技术,研发大面积、率、稳定性、环境友好型的钙钛矿池。

2022-08-11

通威2021年池产将超过55GW

年报信息显示,池方面,公司在原子层沉积背钝化、选择性发射极工艺、双面池、多主栅、HJT池、组件等核心技术领域形成了具有自主知识产权的多项技术成果。

2021-07-16

沙特落成1.2 GW产组件工厂

沙特力公司Bin Omairah Holding位于沙特阿拉伯西北部Tabuk地区首府Tabuk工业区的1.2 GW组件装配厂已经投产。

2021-11-24

光伏产业渐成熟 中国光伏产业具备国际竞争力

技术进步还将加速,光伏未来将成为最经济的力。”“在、铁路和家用器领域,中国企业整体实力远于美国企业。这其中,产业领先程度最。”

2019-06-27

钙钛矿池转换率大幅提至25.2%

钙钛矿光伏池是由金属卤化物钙钛矿半导体制成的池,最近被证明前景无量,因为研究人员已经设法大幅提了它们的量转换率,从3.8%一路提到25.2%。

2020-02-27

宁波海关提通关 池出口大增

2020-04-03 10:11:44 中国国门时报3月18日,一大批满载着池组件的集装箱货柜从宁波阿特斯光伏力有限公司厂区出发运往北仑港,数小时后,该批货物装船发往越南。

2020-04-03

正信光石墨烯组件亮相SNEC为降低光伏度成本按下“加速键”

2019-06-06 17:07:50 中国源网顺应光伏行业降本增大趋势  正信光石墨烯组件惊艳SNEC近年来,我国光伏行业持续快速发展,技术水平不断提升,成本显著降低,质量发展已成行业不可阻挡之势

2019-06-06

谁是下一代光伏

转换率接近理论瓶颈,制约P型池渗透率继续提升。根据光伏协会产业发展路线报告,N型池2030年转换率或超过25.5%,比P型出1个百分点以上。

2021-12-31

第三代率显著提升

在室外条件下,双面串联池实现超出任何商用硅池板的率。这也是首次通过实验清晰证明了双面串联装置优越的证据。

2021-02-19

纳米线技术率翻倍

挪威科技大学(NTNU)研究小组开发了一种使用半导体纳米线材料制造超池的方法。如将其用于传统的硅基池,这一方法有望以低成本将当今硅池的率提一倍。

2021-11-09

供应商观察:下一代光伏技术与平价周期下的产品策略

)作为提升晶硅池转换率与组件产品输出功率的关键材料之一,对这种变化感知最为明显。

2019-06-12

美国研发耐温性柔性池 转换率11.8%

2020-05-07 14:14:42 源界美国爱荷华州立大学的研究人员创造了一种柔性钙钛矿池,其率为11.8%,并具有较强的耐温性。

2020-05-07

晶科源2018年出货11.4GW 创历史新

报告显示,2018年全年组件总出货量为11.4吉瓦,较2017年的9.8吉瓦增长16.0%,创全行业年度出货历史新。全年总收入为250.4亿元人民币(36.4亿美元)。

2019-03-25

新增产超过100GW,2021年池厂商拼什么?

2020年1-8月扩产数据汇总除了来自于“客户”的产竞争,以通威、爱旭为代表的池龙头也在产扩张上不断加码。根据通威在2020年初发布的规划,公司将在2020年内至少形成30GW的池规模。

2020-12-30

香港研发有机框架钙钛矿达22.02%

香港城市大学的科学家开发了一种基于2D共轭金属有机框架的钙钛矿池,该框架在钙钛矿和阴极之间的界面起着子提取层的作用。

2020-09-28

弯的池——钙钛矿

,是地球上生命最主要的量来源。用光转化为池技术已经发展了70多年。然而,由于技术的种种局限性,传统的池还无法真正替代化石源。

2020-12-03

光伏龙头异质结池取得重大突破 HJT有望进入产爆发期

近日,经世界公认权威测试机构德国哈梅林研究所(ISFH)测试,隆基硅基异质结池(HJT)再次取得重大突破,转换达26.30%。

2021-10-29

晶科源Q2总营收同比增长22.2% 组件总出货量为4.469GW

2020-09-24 09:13:36 智通财经网智通财经APP获悉,晶科源(JKS.US)于9月23日美股盘前公布了2020年第二季度财务业绩。

2020-09-24

杜邦携创新光伏解决方案亮相2019 SNEC光伏展览会

在SNEC第十三届(2019)国际光伏与智慧源(上海)展览会W4-555展台,杜邦将展示全系列创新材料以及与客户的合作成果。

2019-06-05

超薄池的率达到近20%

到目前为止,具有20%率的最先进的池需要至少1微米厚的半导体材料层(GaAs,CdTe或铜铟镓硒),或者甚至40μm或更厚的硅材料层。

2019-08-16
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